Danny Weber
Samsung ने AI एक्सेलेरेटर, डेटा सेंटर और एज सिस्टम के लिए zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O और LPDDR5X-PIM दिखाए।
Samsung ने सांता क्लारा में आयोजित Future of Memory and Storage कार्यक्रम में नई पीढ़ी की कई मेमोरी और डेटा स्टोरेज तकनीकें पेश कीं। इनमें से अधिकतर डेटा सेंटर, आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस एक्सेलेरेटर और एज कंप्यूटिंग सिस्टम के लिए बनाई गई हैं।
मुख्य नई तकनीकों में zHBM कॉन्सेप्ट शामिल है। इस आर्किटेक्चर में HBM मेमोरी को AI एक्सेलेरेटर के पास रखने के बजाय सीधे उसके ऊपर लगाया जाता है। Samsung का अनुमान है कि यह व्यवस्था पारंपरिक डिज़ाइन की तुलना में आठ गुना तक प्रदर्शन दे सकती है। कंपनी zHBM के निर्माण में नई पीढ़ी की वेफर बॉन्डिंग तकनीक इस्तेमाल करने की योजना बना रही है। इससे HBM5 की तुलना में दस गुना से अधिक मेमोरी घनत्व और तीन गुना बेहतर ऊर्जा दक्षता मिलने की उम्मीद है।
Samsung ने V10 BV-NAND भी दिखाई, जो SSD, मेमोरी कार्ड और अन्य स्टोरेज डिवाइस के लिए नई तरह की वर्टिकल फ्लैश मेमोरी है। Bonding V-NAND आर्किटेक्चर 400 से अधिक सेल परतों को जोड़ सकता है, जिससे V9 पीढ़ी के मुकाबले घनत्व लगभग 58% बढ़ता है। कंपनी पढ़ने, लिखने और इनपुट-आउटपुट प्रदर्शन में भी सुधार का दावा करती है।
एक और तकनीक zNAND-O है, जो जगह के कुशल इस्तेमाल, कम लेटेंसी और बेहतर इनपुट-आउटपुट प्रदर्शन को जोड़ती है। इसे मुख्य रूप से एज AI सिस्टम के लिए तैयार किया गया है।
कंपनी ने LPDDR5X-PIM भी प्रदर्शित की, जो इंटीग्रेटेड डेटा प्रोसेसिंग वाली Samsung की पहली LPDDR5X मेमोरी है। इसमें कुछ गणनाएं सीधे मेमोरी के भीतर की जा सकती हैं, जिससे कंपोनेंट के बीच डेटा ट्रांसफर घटता है और पूरे सिस्टम की दक्षता बढ़ती है।
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