EV पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में GaN एकीकरण हेतु InnoScience, UAES और Naixinwei की साझेदारी; लक्ष्य: ऊर्जा घनत्व, दक्षता, विश्वसनीयता और तैनाती तेज करना.
© A. Krivonosov
1 अक्टूबर को InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) और Naixinwei ने घोषणा की कि उन्होंने अगली पीढ़ी के इलेक्ट्रिक वाहनों के लिए नवोन्मेषी गैलियम नाइट्राइड (GaN) आधारित उत्पादों के विकास हेतु एक रणनीतिक सहयोग समझौते पर हस्ताक्षर किए।
संयुक्त विकास का फोकस पावर इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम में GaN के एकीकरण पर होगा, ताकि ऊर्जा घनत्व, विश्वसनीयता और दक्षता बढ़ाई जा सके। पारंपरिक सिलिकॉन समाधान की तुलना में GaN अधिक कॉम्पैक्ट डिजाइन संभव बनाता है और वजन व ऊर्जा खपत घटाने में मदद करता है—ये फायदे इलेक्ट्रिफिकेशन और वाहनों के वजन घटाने की दिशा में खास मायने रखते हैं, इसलिए यह दिशा उद्योग की मौजूदा प्राथमिकताओं से स्वाभाविक रूप से मेल खाती है।
यह साझेदारी परस्पर पूरक क्षमताओं को एक जगह लाती है: ऑटोमोटिव सिस्टम इंटीग्रेशन में UAES की विशेषज्ञता, हाई‑परफॉर्मेंस एनालॉग और मिक्स्ड‑सिग्नल चिप डिजाइन में Naixinwei का अनुभव, और पावर GaN कंपोनेंट में InnoScience की ताकत। समग्र रूप से देखें तो यह गठबंधन EV पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में GaN को एक मुख्य नींव बनाने पर व्यावहारिक दांव जैसा दिखता है। कंपनियों का लक्ष्य क्रॉस‑इंडस्ट्री इनोवेशन प्लेटफॉर्म स्थापित करना और मैन्युफैक्चरिंग में नए समाधानों की तैनाती को तेज करना है, ताकि सतत विकास और इलेक्ट्रिक-व्हीकल सेक्टर के बढ़ते मूल्य को समर्थन मिले।