Az Intel üzembe állította az első kereskedelmi High‑NA EUV szkennert: ASML Twinscan EXE:5200B a 14A fejlesztéséhez

Az Intel hivatalosan üzembe állította az iparág első, kereskedelmi forgalmú High‑NA EUV berendezését, az ASML Twinscan EXE:5200B-t. Az új litográfiai szkenneren lezajlottak az elsődleges tesztek, és a vállalat az Intel 14A gyártástechnológia fejlesztéséhez használja majd — ez lehet az első csomópont a világon, amely a nagy numerikus apertúrájú EUV-t a kritikus rétegeken beveti.

Az EXE:5200B az EXE:5000 platformra épül, amelyet az Intel 2023-ban kapott meg oregoni kutatóközpontja számára, de több lényeges ponton továbblép. A 0,55-ös numerikus apertúra akár 8 nm-es felbontást tesz lehetővé, így elkerülhető a hagyományos — jellemzően nagyjából 13 nm-es — EUV szkennereknél gyakran szükséges, összetett többmintás litográfia.

Átbocsátóképességben az EXE:5200B óránként legfeljebb 175 félvezetőostyát képes megmunkálni 50 mJ/cm² expozíciós dózis mellett, a rétegek illesztési pontossága pedig 0,7 nm. Ezek az értékek nem véletlenül fontosak: ahogy az iparág a szubnanométeres méretek felé halad, a legkisebb elcsúszás is azonnal termeléskiesésben mutatkozik meg.

A célértékek eléréséhez az ASML és az Intel megerősítette az EUV fényforrást, és több kulcsalrendszert átdolgozott. Kiemelt fókuszt kapott az ostyák mozgatása és tárolása: a frissített architektúra egyenletesebb hőmérsékleti környezetet tart fenn, miközben csillapítja a mechanikai és termikus rezgéseket. Mindez a gyakorlatban kevesebb paraméter‑elvándorlást és ritkább, termelést megszakító újrakalibrálást jelent hosszabb gyártási futamok során.

Az Intel szerint a High‑NA EUV bevezetése egyszerűsíti a tervezési szabályokat, csökkenti a litográfiai lépések és maszkok számát, rövidíti a gyártási ciklusidőt, és összességében növeli az áteresztést a 14A folyamatnál és az azt követő generációknál. Ezzel párhuzamosan a cég a fotómaszkokat, a marási eljárásokat, a felbontásjavító technikákat és a mérés‑ellenőrzési módszereket is finomhangolja, hogy a legtöbbet hozza ki az új litográfiából.

Összességében a Twinscan EXE:5200B telepítése azt jelzi, hogy a High‑NA EUV a kísérleti eszközök világából a nagy volumenű gyártás valóságába lép. Ha a trend kitart, ez a berendezés kulcselemmé válhat abban a törekvésben, hogy az Intel visszaszerezze technológiai előnyét a félvezetők piacán.