Danny Weber
A Samsung 2026 Q2-ben teszteli a HBM4E memóriát, a DRAM-árak 90%-kal nőttek. Az AI-chip kereslet és a 2 nm-es gyártás felfutóban. Részletek a stratégiáról.
A 2026-os első negyedéves beszámolót követően a Samsung Electronics élesben a memóriaüzletágra fókuszál, és új stratégiai részletekkel szolgált. A legfigyelemreméltóbb: a cég a második negyedévben kezdi tesztelni a következő generációs HBM4E memóriát, amit széles körben a mesterséges intelligencia és a nagy teljesítményű számítástechnika fejlődésének kulcslépéseként tartanak számon.
Ezzel párhuzamosan a piacon drámai drágulás játszódik: az átlagos DRAM-költségek több mint 90 százalékkal ugrottak meg éves összevetésben, a NAND flash pedig szinte ugyanezt a pályát követi. A kiugró növekedés a gyártókapacitásokért vívott élesedő versenyre vezethető vissza: a nagy szereplők tetemes összegeket fordítanak AI-infrastruktúrára, és jó előre lekötik az alkatrész-ellátást.
A Samsung 2026-ra a HBM memóriaeladások háromszoros emelkedését vetíti előre, és a harmadik negyedévre az új HBM4 generáció már a szegmens bevételének több mint felét adhatja. Az iparág mozgását figyelő olvasók számára ez egyértelműen jelzi a nagy adatfeldolgozásra és gépi tanulásra épülő megoldások térnyerését.
A vállalat gyártási lábnyoma is bővül. Az év második felében várható a második generációs, 2 nanométeres mobilgyártási eljárás bevezetése, emellett tovább gördül a 4 nm-es megoldások – köztük dedikált AI-chipek – fejlesztése is. Az Egyesült Államokban a Taylor-projekt szintén lendületbe jött: a gyártókapacitást úgy skálázzák, hogy 2027-ben már tömegtermelésre állhassanak át.
Ráadásul a Samsung a prémiumtermékek és az új kijelzőtechnológiák felé is nyit: ide tartozik a 8.6 generációs IT OLED panelek tömeggyártása is. Az alkatrészárak emelkedése és a kiélezett verseny hátterében a cég a technológiai vezető szerepre és a termelés méretgazdaságosságára alapozva igyekszik megszilárdítani piaci pozícióját.
© A. Krivonosov