SMIC N+3: 5 nm EUV nélkül, hozamproblémákkal – Huawei Kirin 9030

Kína vezető chipgyártója, az SMIC kézzelfogható lépést tett saját félvezető-bázisának kiépítésében: EUV-litográfia nélkül kezdte meg az 5 nm-es kategóriába sorolható chipek sorozatgyártását. Az új, N+3 jelű csomópont jelenleg a legfejlettebb gyártástechnológia Kínában. A TechInsights megerősítette, hogy a Huawei Kirin 9030 ezen a node-on készül, ami fontos mérföldkő az ország technológiai önállósodásának útján.

Az N+3 érdemben egy teljes generációval ugrik az előző N+2 fölé; utóbbi 7 nm-es eljárást a Huawei korábban az Ascend AI-gyorsítóihoz és más infrastruktúra-termékeihez használta. Az N+3-mal a vállalat nagyobb tranzisztorsűrűséget ért el annak ellenére, hogy az exportkorlátozások miatt nem fér hozzá a csúcskategóriás EUV-szkennerekhez. Már ez a tény is arra utal, hogy szűk keretek között is komoly folyamatmérnöki kreativitást mozgósítottak.

Az EUV kihagyásának azonban ára van. Az SMIC extrém ultraibolya helyett 193 nm-es, mély-UV litográfiára és összetett, többszörös mintázási sémákra támaszkodik. A TechInsights szerint az ilyen agresszív metallizációs skálázás súlyos kihozatali gondokat hoz. Ennek következtében valószínű, hogy a Kirin 9030 gyártása jelenleg veszteségesen fut, a lapkák jelentős részét pedig selejtezik vagy visszavágott verzióban kerülnek piacra.

A szükséges csíkszélesség eléréséhez a vállalat vélhetően olyan eljárásokat vet be, mint az önillesztett négyszeres mintázás – iparágszerte ismert, mégis hírhedten nehéz és költséges technika nagy volumenben. A mérnöki teljesítmény kétségkívül figyelemre méltó, ám elemzők jelzik, hogy a kihozatali ellenszél nem múlt el, és a folyamat stabilitásáról részletes adatok nem kerültek nyilvánosságra.