Samsung 2 nanométeres gyártási folyamat hozama 60% körül, Exynos 2600 chip fejlődése

A Samsung jelentős előrelépéseket tesz a korszerű 2 nanométeres gyártási folyamat fejlesztésében, amely a Gate-All-Around (GAA) tranzisztor-architektúrát alkalmazza. Friss információk szerint a folyamat teljes hozama most körülbelül 60%-ot ér el, ami észrevehető javulást jelent a januárban jelentett 50%-hoz képest. Ez a fejlődés annál is figyelemreméltóbb, hogy 2025 második felében a hozam még csak 20% körül mozgott – vagyis több mint háromszoros növekedésről van szó.

Ugyanakkor a Samsung saját Exynos 2600 chipje továbbra is nehéz helyzetben van. Ennek a hozama még mindig nem haladta meg az 50%-ot, bár ez az érték is jelentős előrelépést jelent a korai gyártási szakaszokhoz képest. Érdemes megjegyezni, hogy a Samsung általában nem hozza nyilvánosságra gyártási csomópontjainak pontos hozamadatait, így ezek a becslések iparági forrásokból származnak.

E javuló hozamok egyik fő mozgatórugója új megrendelések voltak, többek között jelentős Bitcoin-bányász hardvergyártóktól, mint például a Canaan és a MicroBT. Ezeknek a vállalatoknak a növekvő igénye további ösztönzőt jelentett a Samsung számára a gyártási optimalizálás felgyorsításához és a 2 nanométeres sor hatékonyságának javításához.

Bár a Samsung továbbra is lemarad a TSMC-től a fejlett félvezetőgyártási versenyben, a cég fokozatosan zárja a rést azáltal, hogy egyre több megrendelést szerez. Egyik legjelentősebb sikere az utóbbi időben egy 16,5 milliárd dolláros szerződés volt a Teslával, amely önvezető rendszerek AI6 chipjeinek gyártásáról szól. Ebben a kontextusban a Samsung egy ambiciózus célt tűzött ki: 2026-ra 130%-kal növelni a 2 nanométeres folyamat megrendeléseit, ami lényegesen megerősítheti piaci pozícióját.