Az InnoScience, az UAES és a Naixinwei stratégiai megállapodása a GaN-alapú teljesítményelektronika fejlesztésére növeli az elektromos járművek hatékonyságát.
© A. Krivonosov
Október 1-jén az InnoScience, a United Automotive Electronic Systems (UAES) és a Naixinwei bejelentette, hogy stratégiai együttműködési megállapodást kötött a következő generációs elektromos járművekhez készülő, gallium-nitridre (GaN) épülő termékek fejlesztésére.
A közös munka középpontjában a GaN integrálása áll a teljesítményelektronikai rendszerekbe, az energiasűrűség, a megbízhatóság és a hatékonyság növelése érdekében. A hagyományos szilíciumalapú megoldásokhoz képest a GaN kompaktabb kialakítást tesz lehetővé, emellett csökkenti a tömeget és az energiafelhasználást — mindez különösen fontos az autóipar elektrifikációja és a járművek könnyítése szempontjából.
A partnerség kiegészítő erősségekre épít: az UAES az autóipari rendszerintegrációban, a Naixinwei a nagy teljesítményű analóg és vegyes jelű chiptervezésben, az InnoScience pedig a teljesítménycélú GaN-komponensekben rendelkezik kompetenciával. Együttesen ez a szövetség józan tétnek tűnik arra, hogy a GaN az elektromos járművek teljesítményelektronikájának alapkövévé váljon. A vállalatok célja egy iparágakat összekapcsoló innovációs platform felállítása és az új megoldások gyártási bevezetésének felgyorsítása, ezzel támogatva a fenntartható fejlődést és az elektromosjármű-szektor növekvő értékteremtését.