A Samsung Electronics bennfentes források és iparági sajtóértesülések szerint elkészítette a 900 rétegű V-NAND prototípusát. Ha a hivatalos megerősítés is megérkezik, az komoly előrelépésnek számítana az 1000 réteg elérése felé, ami régóta a NAND memóriaipar egyik fő célkitűzése.
A prototípus nem egyszerűen egyetlen lapkára épített 900 rétegből áll: a tervezők két, egyenként 450 rétegű blokkot kapcsoltak össze CMB (Cell-on-Cell, azaz többrétegű kötés) technológia segítségével. Ezzel a módszerrel sikerült növelni a rétegszámot és a tárolási sűrűséget, miközben megkerülték a hagyományos vertikális skálázás néhány technológiai buktatóját.
A Samsung számára ez a demonstráció különösen időszerű, hiszen a szerverek, az AI-infrastruktúra, a PC-k és a mobil eszközök egyre nagyobb tárhelyet igényelnek. A vállalat már gyártja a kilencedik generációs V-NAND-ot: 2024-ben bejelentették az 1 terabites TLC V-NAND tömeggyártását, majd ezt követte a kilencedik generációs QLC V-NAND, amely elsősorban AI-alapú alkalmazásokat céloz.
A 900 rétegű prototípus léte még nem jelenti azt, hogy a fogyasztói SSD-kben hamarosan megjelenik ez a memória. A laboratóriumi fejlesztés és a sorozatgyártás között számos akadály tornyosul: a kitermelési arány, a költségek, a megbízhatóság, az energiafogyasztás és a jövőbeli vezérlőkkel való kompatibilitás mind kihívást jelenthetnek. A struktúra sikeres tesztelése ugyanakkor azt mutatja, hogy a Samsung továbbra is a kapacitás jelentős növelésén dolgozik anélkül, hogy arányosan nagyobb lapkákat kellene gyártania.
Ha a technológia eljut a sorozatgyártásig, akkor akár jóval nagyobb kapacitású SSD-k alapjául is szolgálhat – a fogyasztói meghajtóktól egészen az adatközpontok vállalati megoldásaiig. A SK hynix, a Micron, a YMTC és mások versenyében a Samsung számára nemcsak a NAND-piaci vezető szerep megtartása a tét, hanem az is, hogy bizonyítsák: ők lesznek az elsők, akik a következő generációs, ultrasűrű flash memóriához közelítenek.