Jukan bennfentes arról számolt be, hogy a Samsung Electronics előkészíti a hetedik generációs DRAM tömeggyártását a 10 nm-es osztályban. A technológia ismertebb neve 1d DRAM. Az információi szerint a vállalat már több partnerrel dolgozik az új gyártási eljáráshoz szükséges berendezéseken, és arra számít, hogy a bevezetés a jövő év második negyedévében kezdődhet.
Az 1d DRAM nagyjából 10–11 nm-es vonalszélességű memóriát jelent. Összehasonlításként a jelenlegi hatodik generációs 1c DRAM méretét körülbelül 11–12 nm-re becsülik. Minél kisebb ez az érték, annál nagyobb lehet a memória teljesítménye és energiahatékonysága. A szerverek, AI-gyorsítók és HBM iránti növekvő kereslet mellett ez a különbség is sokat számít.
A Samsung már belső értékeléseket végez, köztük korai 1d DRAM mintákkal. Korábban felmerült, hogy a cég akár már idén elindíthatja a tömeggyártást, de iparági források szerint ez kevéssé valószínű. Az ok egyszerű: az 1d DRAM kulcsfontosságú berendezései láthatóan még fejlesztés alatt állnak.
A bennfentes szerint a Samsung most a partnerekkel tárgyal a gyártóberendezések jövő év második negyedévi bevezetéséről. Ha beleszámítjuk a gyártósorok beállításához és a termelés előkészítéséhez szükséges időt, a tényleges tömeggyártás legkorábban a jövő év végén indulhat. Pontosabb menetrend az idei év vége felé várható.
Iparági források szerint a Samsung aktívan dolgozik az 1d DRAM hozamának és jellemzőinek stabilizálásán. A vállalat számára ez nem pusztán egy újabb gyártástechnológiai zsugorítás, hanem a mesterséges intelligenciához szánt memóriák jövőbeli stratégiájának fontos része.
Az 1d DRAM várhatóan a HBM5E alaplapkája lesz, vagyis a nagy sávszélességű memória kilencedik generációjáé, amelynek kereskedelmi bevezetését 2029-re várják. Ha a Samsung időben elindítja az új folyamatot, erősítheti helyzetét a SK Hynix és a Micron elleni versenyben.