A Samsung több új generációs memória- és adattárolási technológiát mutatott be a Santa Clarában rendezett Future of Memory and Storage eseményen. A fejlesztések többsége adatközpontokhoz, mesterségesintelligencia-gyorsítókhoz és peremhálózati rendszerekhez készül.
Az egyik legfontosabb újdonság a zHBM koncepció. Ebben az architektúrában a HBM-memória közvetlenül az AI-gyorsító fölé kerül, nem pedig mellé. A Samsung szerint az elrendezés akár nyolcszoros teljesítményt is hozhat a hagyományos megoldásokhoz képest. A zHBM gyártásához a vállalat új generációs ostyakötési technológiát tervez használni. Ez több mint tízszeres memóriasűrűséget ígér a HBM5-höz képest, miközben háromszorosára növelheti az energiahatékonyságot.
A Samsung bemutatta a V10 BV-NAND-ot is, amely egy új típusú függőleges flashmemória SSD-khez, memóriakártyákhoz és más adattárolókhoz. A Bonding V-NAND architektúra több mint 400 cellaréteget képes összekapcsolni, így a sűrűség mintegy 58%-kal nő a V9 generációhoz képest. A vállalat gyorsabb olvasást, írást és bemeneti-kimeneti műveleteket is ígér.
További fejlesztés a zNAND-O, amely hatékony helykihasználást, alacsony késleltetést és jobb bemeneti-kimeneti teljesítményt egyesít. A megoldást elsősorban peremhálózati AI-rendszerekhez szánják.
A cég a LPDDR5X-PIM-et is demonstrálta, amely a Samsung első beépített adatfeldolgozással rendelkező LPDDR5X memóriája. A számítások egy része közvetlenül a memóriában végezhető el, így kevesebb adatot kell mozgatni az alkatrészek között, és javul a rendszer teljes hatékonysága.