Samsung felpörgeti a HBM4 gyártását High‑NA EUV-vel – jöhet a HBM4E és HBM5

A TweakTown szerint a Samsung elérte az 50%-os kihozatalt az 1c DRAM-ra épülő HBM4-nél, és aktívan bővíti a kapacitást a HBM4 és HBM4E sorozatgyártásához. Források szerint a vállalat öt darabot vásárolt az ASML legújabb High-NA EUV litográfiai rendszereiből: kettő a bérgyártási üzletágba kerül, három pedig kizárólag memóriára van félretéve — a megosztás egyértelműen azt üzeni, hogy a hangsúly tudatosan az HBM felé tolódik.

Iparági szakértők úgy vélik, a Samsung lényegében egy dedikált memória-gyártósort épít, ami felgyorsíthatja a HBM4 tömegtermelését, és megteremtheti az alapokat a későbbi HBM4E és HBM5 számára. Jelenleg a vállalat Pyeongtaek-i DRAM-üzeme havonta nagyjából 300 ezer ostyát ad ki, a kapacitás pedig a határai közelében jár. Ha kulcsfontosságú észak-amerikai ügyfelektől további megrendelések érkeznek, az új berendezések egy részét a texasi Taylorban működő gyárba is átirányíthatják — így a felfutás rugalmasan alakítható.

Közben a fő rivális, az SK hynix továbbra is az élen jár, és HBM3-at, illetve HBM3E-t szállít az NVIDIA Blackwell GPU-ihoz. Elemzők szerint a Samsung HBM-re összpontosító, felerősített beruházásai óhatatlanul felpörgetik a versenyt a nagy teljesítményű memóriák piacán, és szorosabb küzdelmet vetítenek előre.