Samsung Galaxy S26: LPDDR5X a 10,7 Gbps, ma l’Exynos 2600 reggerà?

L’insider Ice Universe ha diffuso notizie incoraggianti per i fan di Samsung: secondo lui, l’intera serie Galaxy S26 sarà equipaggiata con la RAM più veloce oggi sul mercato — LPDDR5X da 10,7 Gbps — e la memoria sarebbe già in produzione di massa. La configurazione minima sarebbe di 12 GB, un cambio di passo che lascia presagire un netto balzo prestazionale rispetto agli attuali Galaxy S25.

C’è però un punto che merita attenzione. Il blogger tecnologico Abhishek Yadav ha sollevato il dubbio che l’Exynos 2600 interno possa davvero gestire una banda così elevata. Il Qualcomm Snapdragon 8 Elite, del resto, si ferma a 9,67 Gbps, mentre il pieno supporto ai 10,7 Gbps sembra arrivare soltanto con la prossima generazione, lo Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Se l’Exynos 2600 non riuscisse a spingere la LPDDR5X alla massima velocità, i Galaxy S26 potrebbero mostrare comportamenti della memoria diversi a seconda del mercato. Samsung tradizionalmente utilizza Exynos in Europa e Corea del Sud e Snapdragon negli Stati Uniti e in Cina, e questo riporta in primo piano il tema della parità prestazionale tra le varianti.

Samsung non ha commentato la fuga di notizie. Se i dettagli fossero confermati, la famiglia Galaxy S26 diventerebbe la prima del marchio a montare questa memoria di nuova generazione: una novità che promette un’interfaccia più scattante e il margine per valorizzare il potenziale dei prossimi processori di punta.