Danny Weber
12:59 18-12-2025
© A. Krivonosov
Intel attiva l’EUV High‑NA con ASML Twinscan EXE:5200B per il processo 14A: risoluzione a 8 nm, 175 wafer/ora, overlay 0,7 nm. Meno maschere e cicli più rapidi.
Intel ha messo ufficialmente in funzione il primo strumento EUV High-NA commerciale del settore — ASML Twinscan EXE:5200B. Dopo aver completato i test iniziali, sarà impiegato per sviluppare il processo Intel 14A, destinato a diventare il primo nodo al mondo ad applicare l’EUV ad alta apertura numerica agli strati critici.
Basato sulla piattaforma EXE:5000 che Intel ha ricevuto nel 2023 per il suo centro di ricerca in Oregon, l’EXE:5200B alza l’asticella in modo tangibile. Con un’apertura numerica di 0,55, offre una risoluzione fino a 8 nm, eliminando il complesso multi-patterning che gli scanner EUV convenzionali — in genere intorno ai 13 nm — richiedono spesso.
Sul fronte della produttività, l’EXE:5200B può elaborare fino a 175 wafer all’ora con una dose di esposizione di 50 mJ/cm² e raggiunge un’accuratezza di overlay di 0,7 nm. Sono numeri che pesano mentre il settore si avvicina a elementi sotto il nanometro, dove anche minimi disallineamenti intaccano direttamente la resa.
Per raggiungere questi traguardi, ASML e Intel hanno potenziato la sorgente di luce EUV e rivisto sottosistemi chiave. Particolare attenzione è andata al trasporto e allo stoccaggio dei wafer: l’architettura aggiornata mantiene un ambiente termico più stabile e attenua le vibrazioni meccaniche e termiche. In pratica, significa meno deriva dei parametri nelle lunghe tirature e meno interruzioni per la ricalibrazione.
Intel sottolinea che l’adozione dell’EUV High-NA dovrebbe semplificare le regole di progetto, ridurre i passaggi litografici e il numero di maschere, accorciare i tempi di ciclo e aumentare la produttività complessiva per il processo 14A e quelli che seguiranno. In parallelo, l’azienda sta affinando fotomaschere, processi di incisione, metodi di miglioramento della risoluzione e metrologia per sfruttare appieno la nuova litografia.
Nel complesso, l’installazione del Twinscan EXE:5200B segna il passaggio dell’EUV High-NA da attrezzatura sperimentale alla produzione su larga scala e potrebbe diventare un tassello decisivo nella strategia con cui Intel punta a riconquistare la leadership tecnologica nei semiconduttori.