Samsung accelera su HBM4: resa 50%, High-NA EUV e nuova capacità

Stando a TweakTown, Samsung ha raggiunto un rendimento del 50% nella produzione di HBM4 su DRAM 1c e sta ampliando attivamente la capacità per la produzione in volumi di HBM4 e HBM4E. Fonti riferiscono che l’azienda ha acquistato cinque dei più recenti sistemi litografici High-NA EUV di ASML: due destinati al business fonderia e tre riservati esclusivamente alla memoria — una ripartizione che lascia intendere una scelta mirata verso l’HBM.

Secondo gli esperti del settore, Samsung sta di fatto allestendo una linea dedicata alla memoria: una mossa che dovrebbe accelerare la produzione di massa di HBM4 e, allo stesso tempo, preparare il terreno per HBM4E e HBM5. Al momento, l’impianto DRAM di Pyeongtaek realizza circa 300.000 wafer al mese, con la capacità vicina al limite. Parte dei nuovi strumenti potrebbe essere dirottata sullo stabilimento di Taylor, in Texas, qualora arrivassero ulteriori ordini da clienti nordamericani chiave, un’impostazione che mantiene flessibile la fase di incremento produttivo.

Nel frattempo, la rivale SK hynix resta davanti, fornendo a NVIDIA HBM3 e HBM3E per le GPU Blackwell. Gli analisti ritengono che l’intensificarsi degli investimenti di Samsung nell’HBM renderà inevitabilmente più accesa la competizione nel mercato della memoria ad alte prestazioni, preparando il terreno a una corsa ancora più serrata.