Exynos 2600 a 2 nm GAA: i benchmark sfiorano lo Snapdragon 8 Elite Gen 5

Danny Weber

15:35 29-08-2025

© RusPhotoBank

Test Geekbench 6: Exynos 2600 a 2 nm GAA vicino a Snapdragon 8 Elite Gen 5, 3309/11256 punti. Efficienza decisiva per Galaxy S26 e prestazioni per watt.

Samsung sembra pronta a riconquistare fiducia nei propri chip. Un nuovo leak di benchmark suggerisce che l’Exynos 2600, realizzato con processo GAA a 2 nm, stia colmando il divario con il portabandiera Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Secondo Geekbench 6, l’Exynos 2600 ha totalizzato 3.309 punti in single-core e 11.256 in multi-core. Per confronto, il Galaxy S26 Edge con Snapdragon 8 Elite Gen 5 ha raggiunto rispettivamente 3.393 e 11.515 punti. Il margine è sottilissimo: circa il 2,5% a favore di Qualcomm. Sulla carta i numeri sono già convincenti.

Colpisce che, in questa esecuzione, lo Snapdragon sia stato impostato a frequenze ridotte (4,0 GHz contro i 4,74 GHz nominali), lasciando margine a entrambi i chip per spingersi oltre. Per Samsung è un balzo notevole: il miglioramento rispetto alla generazione precedente arriva al 53,5%. Stavolta l’accelerazione si vede nei grafici, non solo nelle roadmap.

La vera prova, però, è l’efficienza energetica. Quel parametro sarà decisivo per il Galaxy S26 e per gli altri modelli in arrivo. Se l’Exynos 2600 non solo colmerà il gap ma riuscirà a superare lo Snapdragon nella performance per watt, Samsung potrebbe ritrovarsi di nuovo tra i leader della corsa ai chip mobili e la conversazione attorno a Exynos cambierebbe con la stessa rapidità.