Snapdragon 8 Elite Gen 6 a 2 nm: LPDDR6, UFS 5.0 e IA on-device

Sono emersi nuovi dettagli sul prossimo processore di punta di Qualcomm, lo Snapdragon 8 Elite Gen 6. Secondo le indiscrezioni, sarà realizzato con un processo a 2 nm e supporterà memoria LPDDR6 insieme allo storage UFS 5.0: una base tecnica che mira ad alzare l’asticella sia in prestazioni sia in efficienza energetica, i due pilastri che contano davvero per la prossima ondata di funzioni incentrate sull’IA.

Con questi aggiornamenti a memoria e archiviazione, lo Snapdragon 8 Elite Gen 6 dovrebbe essere più attrezzato per i carichi di lavoro legati all’IA. La LPDDR6 offrirebbe una larghezza di banda ancora più elevata, mentre UFS 5.0 promette accessi ai dati e velocità di scrittura più rapidi, aiutando i dispositivi a gestire calcoli impegnativi con meno attriti. Nel complesso, l’obiettivo appare chiaro: rendere più fluide le esperienze di IA direttamente sul dispositivo.

Secondo l’insider Digital Chat Station, Qualcomm intende produrre il chip sul processo N2P a 2 nm di TSMC. Questo nodo potrebbe aumentare le prestazioni di circa il 18% oppure ridurre i consumi di circa il 36% rispetto alla generazione a 3 nm. Allo stesso tempo, una parte della comunità di esperti ritiene che Qualcomm non riuscirà ad adottare il nuovo nodo prima del 2026, una tempistica in linea con il ritmo prudente di transizione del settore.

Gli analisti prevedono anche che il passaggio a un processo più avanzato e l’adozione di standard di memoria all’avanguardia faranno salire i costi di produzione. In tal caso, gli smartphone di punta di nuova generazione potrebbero diventare più costosi, con i modelli premium a risentirne per primi.

Atteso per la fine del 2026, lo Snapdragon 8 Elite Gen 6 si candida a diventare uno dei chip di riferimento dell’era dell’IA mobile.