Huawei Kirin 9030 è fabbricato da SMIC sul nodo N+3 a 5 nm senza EUV. DUV e multipatterning aumentano la densità, ma con costi e problemi di resa in Cina.
© D. Novikov
Il produttore cinese di chip SMIC ha compiuto un passo tangibile nella costruzione di una base di semiconduttori autonoma, avviando la produzione in volumi di chip di classe 5 nm senza litografia EUV. Il nuovo nodo N+3 di SMIC è oggi il processo produttivo più avanzato in Cina. TechInsights ha confermato che il Kirin 9030 di Huawei è realizzato su questo nodo, segnando una tappa importante sulla strada del Paese verso una maggiore autosufficienza tecnologica.
N+3 di fatto scavalca un’intera generazione rispetto al precedente N+2, un processo di classe 7 nm già impiegato da Huawei per gli acceleratori AI Ascend e altri prodotti per infrastrutture. Con N+3, SMIC ha raggiunto una densità di transistor più elevata pur senza accesso agli scanner EUV più avanzati, limitati dai controlli all’export. Già questo esito lascia intendere un notevole ingegno di processo in condizioni operative molto vincolanti.
Saltare l’EUV ha però un prezzo. Invece dell’estremo ultravioletto, SMIC si affida alla litografia DUV a 193 nm e a complessi schemi di multipatterning. TechInsights rileva che una scalatura così aggressiva della metallizzazione comporta seri problemi di resa. Di conseguenza, la produzione del Kirin 9030 con ogni probabilità procede in perdita operativa, con una quota significativa di matrici scartate o spedite in versioni ridotte.
Per raggiungere le dimensioni richieste, si ritiene che SMIC utilizzi tecniche come il self-aligned quadruple patterning—ben note nel settore ma notoriamente difficili e costose da applicare su larga scala. Il risultato ingegneristico è notevole, ma gli analisti indicano che le criticità di resa non sono scomparse e che non sono state divulgate statistiche dettagliate sulla stabilità del processo.