Samsung Electronics ha sviluppato un prototipo di V-NAND a 900 strati, una memoria flash verticale di nuova generazione, secondo quanto riferito dall'insider Ice Universe e dai media del settore. Se confermato ufficialmente, si tratterebbe di un passo significativo verso il traguardo dei 1.000 strati, a lungo considerato un obiettivo chiave per l'industria della memoria NAND.
Il prototipo sarebbe stato realizzato non semplicemente impilando strati su un singolo die, ma combinando due blocchi da 450 strati tramite la tecnologia CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). Questo approccio aumenta il numero di strati e la densità di archiviazione, bypassando alcune delle difficoltà tecnologiche che i produttori affrontano quando scalano verticalmente la NAND.
Per Samsung, questa dimostrazione è particolarmente importante in un contesto di crescente domanda di storage per server, infrastrutture AI, PC e dispositivi mobili. L'azienda produce già V-NAND di nona generazione: nel 2024 ha annunciato la produzione di massa di V-NAND TLC da 1 terabit, seguita dalla QLC di nona generazione per applicazioni AI.
Il prototipo a 900 strati non significa che gli SSD consumer con questa memoria siano imminenti. Tra lo sviluppo in laboratorio e la produzione di massa ci sono sfide come rese, costi, affidabilità, consumo energetico e compatibilità con i futuri controller. Tuttavia, la validazione riuscita di questa struttura dimostra che Samsung continua a perseguire un percorso verso capacità decisamente più elevate senza aumentare proporzionalmente le dimensioni del die.
Se la tecnologia raggiungerà la produzione in volume, potrebbe costituire la base per SSD con capacità molto più elevate, dai drive consumer alle soluzioni enterprise per data center. In un contesto di competizione con SK hynix, Micron, YMTC e altri, per Samsung è cruciale non solo mantenere la leadership nella NAND, ma anche dimostrare di poter essere la prima ad avvicinarsi alla prossima generazione di memoria flash ultra-densa.