Samsung ha presentato diverse tecnologie di memoria e archiviazione di nuova generazione all’evento Future of Memory and Storage di Santa Clara. La maggior parte delle novità è destinata a data center, acceleratori di intelligenza artificiale e sistemi di edge computing.
Tra le proposte principali c’è il concept zHBM. In questa architettura, la memoria HBM viene collocata direttamente sopra l’acceleratore IA invece che accanto. Secondo Samsung, questa configurazione potrebbe offrire prestazioni fino a otto volte superiori rispetto alle soluzioni tradizionali. Per produrre zHBM, l’azienda intende usare una tecnologia di bonding dei wafer di nuova generazione. La soluzione dovrebbe garantire oltre dieci volte la densità di memoria di HBM5 e triplicare allo stesso tempo l’efficienza energetica.
Samsung ha mostrato anche V10 BV-NAND, un nuovo tipo di memoria flash verticale per SSD, schede di memoria e altri dispositivi di archiviazione. L’architettura Bonding V-NAND consente di unire più di 400 strati di celle, aumentando la densità di circa il 58% rispetto alla generazione V9. L’azienda dichiara inoltre prestazioni superiori in lettura, scrittura e operazioni di input-output.
Un’altra novità è zNAND-O, che combina un uso efficiente dello spazio, bassa latenza e migliori prestazioni di input-output. La soluzione è pensata soprattutto per i sistemi IA edge.
La società ha infine mostrato LPDDR5X-PIM, la sua prima memoria LPDDR5X con elaborazione dei dati integrata. Parte dei calcoli può essere eseguita direttamente nella memoria, riducendo lo spostamento dei dati tra i componenti e migliorando l’efficienza complessiva del sistema.