インサイダーのJukanは、Samsung Electronicsが第7世代DRAMの量産を10 nmクラスで準備していると伝えました。この技術は1d DRAMとしてよく知られています。同氏によると、同社は新プロセス向けの装置についてすでに複数のパートナーと作業を進めており、来年 第2四半期に導入を始める見込みです。
1d DRAMは、線幅がおよそ10–11 nmのメモリを指します。比較すると、現在の第6世代1c DRAMは約11–12 nmと見積もられています。この数値が小さくなるほど、メモリの性能と電力効率は高まる可能性があります。サーバー、AIアクセラレーター、HBMからの需要が増えるなか、この差はかなり重要になります。
Samsungはすでに、初期の1d DRAMサンプルを含む社内評価を進めています。以前は、同社が今年中にも量産へ移る可能性があるとの見方もありましたが、業界筋はそのシナリオをあまり現実的ではないと見ています。理由はシンプルで、1d DRAM向けの主要装置がまだ開発段階にあるとみられるためです。
Jukanによると、Samsungは現在、来年 第2四半期の生産装置導入についてパートナーと協議しています。ライン調整と生産準備に必要な時間を考えると、実際の量産開始は早くても来年末になる可能性があります。より明確なスケジュールは今年末に近づくころ見えてくると予想されています。
業界筋によれば、Samsungは1d DRAMの歩留まりと特性を安定させる作業を積極的に進めています。同社にとってこれは単なるプロセス微細化ではなく、人工知能向けメモリ戦略の重要な一部です。
1d DRAMはHBM5Eのベースダイになると見込まれています。HBM5Eは高帯域幅メモリの第9世代で、2029年の商用化が予想されています。Samsungが新プロセスを予定どおり立ち上げられれば、SK HynixやMicronとのメモリ競争で立場を強める可能性があります。