Samsungは、サンタクララで開催されたFuture of Memory and Storageにおいて、次世代のメモリおよびストレージ技術を複数発表した。多くの技術は、データセンター、AIアクセラレーター、エッジコンピューティングシステムを対象としている。
主な新技術の一つがzHBM構想だ。このアーキテクチャでは、HBMメモリをAIアクセラレーターの横ではなく、真上に配置する。Samsungによると、従来の構成と比べて最大8倍の性能を実現できる可能性がある。zHBMの製造には、次世代のウエハーボンディング技術を採用する計画だ。これにより、HBM5の10倍を超えるメモリ密度と、3倍の電力効率を目指す。
Samsungは、SSDやメモリカードなどに向けた新しい垂直型フラッシュメモリ、V10 BV-NANDも披露した。Bonding V-NANDアーキテクチャでは、400層を超えるセル層を統合でき、V9世代と比べて密度を約58％高められる。読み出し、書き込み、入出力性能の向上も掲げている。
もう一つの技術がzNAND-Oで、効率的な実装面積、低遅延、高い入出力性能を組み合わせる。主にエッジAIシステム向けのソリューションだ。
さらに、データ処理機能を内蔵したSamsung初のLPDDR5Xメモリ、LPDDR5X-PIMも公開された。演算の一部をメモリ内部で実行できるため、部品間のデータ移動を減らし、システム全体の効率を高められる。