Samsung en 1d DRAM: de volgende geheugenrace komt dichterbij

Insider Jukan meldde dat Samsung Electronics werkt aan de massaproductie van zevende generatie DRAM in de 10 nm-klasse, beter bekend als 1d DRAM. Volgens hem werkt het bedrijf al met meerdere partners aan apparatuur voor het nieuwe proces en wil het de invoering daarvan in het tweede kwartaal van volgend jaar starten.

1d DRAM verwijst naar geheugen met lijnbreedtes van ongeveer 10–11 nm. Ter vergelijking: de huidige zesde generatie 1c DRAM wordt geschat op ongeveer 11–12 nm. Hoe kleiner dat cijfer wordt, hoe hoger de potentiële prestaties en energie-efficiëntie. Door de groeiende vraag vanuit servers, AI-versnellers en HBM wordt zelfs zo’n verschil belangrijk.

Samsung voert al interne evaluaties uit, inclusief vroege samples van 1d DRAM. Eerder werd gesuggereerd dat het bedrijf al dit jaar naar massaproductie zou kunnen gaan, maar bronnen in de sector achten dat weinig waarschijnlijk. De reden is eenvoudig: de belangrijkste apparatuur voor 1d DRAM lijkt nog in ontwikkeling te zijn.

Volgens de insider bespreekt Samsung nu met partners de installatie van productieapparatuur in het tweede kwartaal van volgend jaar. Met de tijd die nodig is om lijnen af te stellen en de productie voor te bereiden, kan de echte start van massaproductie op zijn vroegst eind volgend jaar plaatsvinden. Een duidelijker schema wordt tegen het einde van dit jaar verwacht.

Bronnen in de sector zeggen dat Samsung actief werkt aan het stabiliseren van de opbrengst en eigenschappen van 1d DRAM. Voor het bedrijf is dit niet zomaar een volgende processhrink, maar een belangrijk onderdeel van de toekomstige strategie voor geheugen voor kunstmatige intelligentie.

1d DRAM moet de basisdie worden voor HBM5E, de negende generatie high-bandwidth memory, waarvan commercialisering voor 2029 wordt verwacht. Als Samsung het nieuwe proces op tijd online krijgt, kan dat zijn positie in de geheugenrace met SK Hynix en Micron versterken.