Samsung plaatst HBM boven de AI-versneller en toont NAND met ruim 400 lagen

Samsung heeft tijdens Future of Memory and Storage in Santa Clara verschillende geheugen- en opslagtechnologieën van de volgende generatie gepresenteerd. De meeste ontwikkelingen zijn bedoeld voor datacenters, AI-versnellers en edge-computingsystemen.

Een van de belangrijkste nieuwigheden is het zHBM-concept. Bij deze architectuur wordt HBM-geheugen direct boven de AI-versneller geplaatst, in plaats van ernaast. Volgens Samsung kan deze opstelling tot acht keer zoveel prestaties leveren als traditionele ontwerpen. Voor de productie van zHBM wil het bedrijf een nieuwe generatie waferbonding gebruiken. Die moet meer dan tien keer de geheugendichtheid van HBM5 bieden en tegelijk de energie-efficiëntie verdrievoudigen.

Samsung toonde ook V10 BV-NAND, een nieuw type verticale flashopslag voor SSD’s, geheugenkaarten en andere opslagapparaten. De Bonding V-NAND-architectuur kan meer dan 400 cellagen combineren en verhoogt de dichtheid met ongeveer 58% ten opzichte van de V9-generatie. Het bedrijf claimt daarnaast hogere lees-, schrijf- en invoer-uitvoerprestaties.

Een andere ontwikkeling is zNAND-O, dat efficiënt ruimtegebruik combineert met lage latentie en betere invoer-uitvoerprestaties. De oplossing is vooral gericht op edge-AI-systemen.

Het bedrijf demonstreerde bovendien LPDDR5X-PIM, Samsungs eerste LPDDR5X-geheugen met ingebouwde gegevensverwerking. Een deel van de berekeningen kan rechtstreeks in het geheugen worden uitgevoerd, waardoor minder data tussen componenten hoeft te bewegen en het hele systeem efficiënter werkt.