Samsung ontwikkelt een 1-nanometerproces met 'fork'-methode om transistordichtheid te verhogen en energie-efficiëntie te verbeteren, gericht op lancering rond 2031.
© RusPhotoBank
Samsung zet vol in op lithografietechnologie en mikt op een 1-nanometerproces tegen 2031, dat de 'droomsemiconductor' wordt genoemd. Onderzoek en ontwikkeling zijn in volle gang en moeten rond 2030 zijn afgerond. Deze nieuwe technologie maakt het mogelijk om meer transistors op hetzelfde oppervlak te plaatsen dankzij een 'fork'-methode, die een niet-geleidende barrière tussen GAA-elementen toevoegt.
De huidige 2-nm-processen van Samsung gebruiken Gate-All-Around (GAA)-technologie, die de energie-efficiëntie verhoogt door kanalen van drie naar vier banen uit te breiden. Bij het 1-nm-knooppunt zou GAA zonder aanpassingen minder effectief zijn, dus voert het bedrijf een vertakkingsschema in met de 'fork' om de transistordichtheid te maximaliseren. Dit is vergelijkbaar met architecturale verdichting in gebouwen: vrije ruimte wordt verminderd en nieuwe structuren nemen die in om meer componenten te huisvesten.
Eerder had Samsung een 1,4-nm-proces gepland, maar de lancering is uitgesteld tot 2028, waarschijnlijk om zich te richten op de vooruitgang van 2-nm-technologieën. De 'fork'-technologie zou eerdere productieproblemen kunnen oplossen, maar de uiteindelijke efficiëntie en schaalbaarheid van het 1-nm-proces worden pas duidelijk bij de start van de massaproductie.
Daarnaast blijft Samsung energie-efficiëntieproblemen in zijn SoC's aanpakken, zoals bij de Exynos 2600. Deze chip verbruikt bijvoorbeeld tot 30 W tijdens Geekbench 6-tests, wat de batterijduur van apparaten vermindert in vergelijking met concurrenten die Snapdragon gebruiken. De overstap naar verbeterde 2-nm-processen en uiteindelijk de lancering van de 1-nm-technologie zouden deze tekortkomingen moeten helpen oplossen en de weg vrijmaken voor toekomstige mobiele processors.