Samsung Electronics zou een prototype hebben ontwikkeld van 900-laags V-NAND, een volgende generatie verticale flashgeheugen, volgens insider Ice Universe en industriemedia. Als dit officieel wordt bevestigd, zou dit een belangrijke stap zijn naar de mijlpaal van 1.000 lagen, lang beschouwd als een belangrijk doel voor de NAND-geheugenindustrie.
Het prototype zou niet zijn gebouwd door simpelweg lagen op een enkele chip te stapelen, maar door twee blokken van 450 lagen te combineren met CMB-technologie (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). Deze aanpak verhoogt het aantal lagen en de opslagdichtheid terwijl het een aantal technologische obstakels omzeilt die fabrikanten tegenkomen bij het verticaal opschalen van NAND.
Voor Samsung is deze demonstratie vooral belangrijk gezien de groeiende vraag naar opslag in servers, AI-infrastructuur, pc's en mobiele apparaten. Het bedrijf produceert al 9e-generatie V-NAND: in 2024 kondigde het de massaproductie aan van 1-terabit TLC V-NAND, gevolgd door 9e-gen QLC V-NAND voor AI-gedreven toepassingen.
Het 900-laags prototype betekent niet dat consumenten-SSD's met dit geheugen op komst zijn. Tussen labontwikkeling en massaproductie liggen uitdagingen zoals opbrengsten, kosten, betrouwbaarheid, stroomverbruik en compatibiliteit met toekomstige controllers. Toch toont de succesvolle validatie van deze structuur aan dat Samsung doorgaat met het nastreven van aanzienlijk hogere capaciteiten zonder de chipgrootte evenredig te vergroten.
Als de technologie in massaproductie komt, zou het de basis kunnen vormen voor veel krachtigere SSD's, variërend van consumentenschijven tot enterprise-oplossingen voor datacenters. Tegen de achtergrond van concurrentie met SK hynix, Micron, YMTC en anderen, is het cruciaal voor Samsung om niet alleen zijn NAND-leiderschap te behouden, maar ook te bewijzen dat het de eerste kan zijn die de volgende generatie ultra-dichte flashgeheugen benadert.