Intel tar i bruk ASML Twinscan EXE:5200B for High-NA EUV i 14A

Intel har offisielt tatt i bruk bransjens første kommersielle High-NA EUV-verktøy – ASML Twinscan EXE:5200B. Den nye litografiskanneren har fullført de første testene og skal brukes i utviklingen av prosessen Intel 14A, som blir den første noden globalt til å bruke EUV med høy numerisk apertur i kritiske lag.

Bygget på EXE:5000-plattformen som Intel mottok i 2023 til forskningssenteret i Oregon, løfter EXE:5200B nivået på flere viktige punkter. Med en numerisk apertur på 0,55 leverer systemet opptil 8 nm oppløsning og kutter behovet for de komplekse flertrinnsløsningene som konvensjonelle EUV-skannere – vanligvis rundt 13 nm – ofte krever.

Når det gjelder gjennomstrømning, kan EXE:5200B behandle opptil 175 wafere i timen ved en eksponeringsdose på 50 mJ/cm² og oppnår 0,7 nm overlay-nøyaktighet. Tallene er avgjørende idet bransjen nærmer seg elementer under nanometerskala, der små skjevheter umiddelbart går ut over utbyttet.

For å nå disse målene har ASML og Intel forsterket EUV-lyskilden og bygget om flere sentrale delsystemer. Transport og lagring av wafer fikk særlig fokus: Den oppdaterte arkitekturen holder et mer stabilt termisk miljø og demper både mekaniske og termiske vibrasjoner. I praksis gir det mindre parametervandring over lange kjøretider og færre stopp for rekalibrering.

Intel peker på at innføringen av High-NA EUV vil forenkle designregler, redusere antall litografisteg og masker, korte ned gjennomløpstiden i produksjon og øke total kapasitet for 14A og videre. Parallelt finjusterer selskapet fotomasker, etseprosesser, metoder for oppløsningsforbedring og metrologi for å hente ut full effekt av den nye litografien.

Samlet sett markerer installasjonen av Twinscan EXE:5200B et skifte for High-NA EUV fra eksperimentelt utstyr til teknologi for høyt volum – og det kan bli en nøkkelbrikke i Intels forsøk på å vinne tilbake teknologisk lederskap i halvlederindustrien.