UAES, InnoScience og Naixinwei utvikler GaN-løsninger for neste generasjon elbiler

1. oktober kunngjorde InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) og Naixinwei at de hadde signert en strategisk samarbeidsavtale for å utvikle nyskapende produkter basert på galliumnitrid (GaN) for neste generasjon elbiler.

Det felles utviklingsarbeidet skal konsentreres om å integrere GaN i kraftelektronikk for å øke energitetthet, pålitelighet og virkningsgrad. Sammenlignet med tradisjonelle silisiumløsninger legger GaN til rette for mer kompakte konstruksjoner og bidrar til å redusere vekt og energibruk—gevinster som treffer kjernen i elektrifisering og vektredusering av kjøretøy.

Samarbeidet samler komplementære styrker: UAES på integrasjon av bilsystemer, Naixinwei på høyytelses analoge og blandet-signal-brikker, og InnoScience på kraft-GaN-komponenter. Sett under ett framstår alliansen som et nøkternt veddemål om å gjøre GaN til en grunnstein i kraftelektronikken i elbiler. Selskapene vil etablere en tverrindustriell innovasjonsplattform og få fart på utrullingen av nye løsninger i produksjon, med mål om å støtte bærekraftig utvikling og den økende verdien i elbilsektoren.