Samsung storsatser på HBM4E-minne og AI-infrastruktur

Etter å ha offentliggjort resultatene for første kvartal 2026, retter Samsung Electronics nå oppmerksomheten mot minnevirksomheten og avslører nye strategidetaljer. Særlig viktig er planen om å starte testing av neste generasjons HBM4E-minne i andre kvartal – et grep som anses som helt avgjørende for utviklingen av kunstig intelligens og høyytelses databehandling.

Samtidig opplever markedet en kraftig prisoppgang: Gjennomsnittlige DRAM-kostnader har steget med over 90 prosent sammenlignet med året før, og NAND-flash følger en nesten identisk kurve. Oppsvinget gjenspeiler den tiltagende konkurransen om produksjonskapasitet, ettersom store aktører pøser penger inn i AI-infrastruktur og sikrer seg komponenttilgang i god tid.

Samsung anslår en tredobling av HBM-minnesalget i 2026, og i tredje kvartal ventes mer enn halvparten av segmentets inntekter å komme fra den nye HBM4-generasjonen. For de som følger bransjetrender, understreker dette en bredere dreining mot løsninger som er skreddersydd for massiv databehandling og maskinlæring.

Selskapet utvider også produksjonsfotavtrykket. I andre halvår introduseres en annengenerasjons 2-nanometerprosess for mobile enheter, samtidig som utviklingen av 4-nm-løsninger – inkludert dedikerte AI-brikker – fortsetter. I USA skyter Taylor-prosjektet fart, og fabrikk-kapasiteten trappes opp med sikte på masseproduksjon i 2027.

I tillegg satser Samsung på premiumprodukter og ny skjermteknologi, deriblant volumproduksjon av 8.6-generasjons IT-OLED-paneler. Med stigende komponentpriser og hardere konkurranse som bakteppe, bygger strategien på teknologisk lederskap og storskalaproduksjon for å styrke markedsposisjonen.