Innsideren Jukan melder at Samsung Electronics forbereder masseproduksjon av sjuende generasjons DRAM i 10 nm-klassen, bedre kjent som 1d DRAM. Ifølge ham jobber selskapet allerede med flere partnere om utstyr til den nye prosessen og regner med å begynne innføringen i andre kvartal neste år.
1d DRAM viser til minne med linjebredder på omtrent 10–11 nm. Til sammenligning anslås dagens sjette generasjons 1c DRAM til rundt 11–12 nm. Jo lavere tallet blir, desto høyere blir det potensielle ytelses- og energieffektivitetsnivået. Med økende etterspørsel fra servere, AI-akseleratorer og HBM får selv denne forskjellen betydning.
Samsung gjennomfører allerede interne vurderinger, inkludert tidlige prøver av 1d DRAM. Tidligere har det kommet antydninger om at selskapet kunne gå til masseproduksjon allerede i år, men bransjekilder ser dette som lite sannsynlig. Årsaken er enkel: nøkkelutstyret for 1d DRAM ser fortsatt ut til å være under utvikling.
Ifølge innsideren diskuterer Samsung nå med partnere om innføring av produksjonsutstyr i andre kvartal neste år. Med tiden som trengs til å justere linjene og klargjøre produksjonen, kan reell masseproduksjon tidligst starte mot slutten av neste år. En klarere tidsplan ventes nærmere slutten av dette året.
Bransjekilder sier at Samsung jobber aktivt med å stabilisere utbytte og egenskaper for 1d DRAM. For selskapet handler dette ikke bare om nok en prosesskrymping, men om en viktig del av den fremtidige strategien for minne til kunstig intelligens.
1d DRAM ventes å bli basiskretsen for HBM5E, den niende generasjonen høybåndbreddeminne, som er ventet kommersialisert i 2029. Hvis Samsung får den nye prosessen i gang i tide, kan det styrke selskapets posisjon i kappløpet mot SK Hynix og Micron.