Samsung når 50% utbytte på HBM4 og øker kapasiteten for HBM4/HBM4E med High-NA EUV. Satsingen skjerper konkurransen mot SK hynix og retter seg mot NVIDIA.
© RusPhotoBank
Ifølge TweakTown har Samsung nådd et utbytte på 50 prosent for HBM4 bygget på 1c-DRAM, og selskapet utvider nå kapasiteten for serieproduksjon av både HBM4 og HBM4E. Kilder opplyser at Samsung har kjøpt fem av ASMLs nyeste High-NA EUV-litografisystemer: to til støperivirksomheten og tre øremerket minne. Alt tyder på at HBM har rykket helt øverst på prioriteringslisten.
Bransjeeksperter mener at Samsung i praksis bygger en dedikert minnelinje, et grep som kan få fart på masseproduksjonen av HBM4 og samtidig legge grunnlaget for fremtidige HBM4E og HBM5. For øyeblikket leverer DRAM-driften ved fabrikken i Pyeongtaek rundt 300 000 wafer i måneden, med kapasiteten nær taket. Noe av det nye utstyret kan dessuten omdirigeres til anlegget i Taylor, Texas dersom det kommer flere bestillinger fra sentrale nordamerikanske kunder, noe som holder oppskaleringen fleksibel.
I mellomtiden ligger hovedrivalen SK hynix fortsatt foran og leverer HBM3 og HBM3E til NVIDIAs Blackwell-GPU-er. Analytikere peker på at Samsungs forsterkede satsing på HBM uunngåelig vil skjerpe konkurransen i markedet for høyytelsesminne og legge opp til en tettere duell.