Reset strategii Samsunga: 2 nm GAA w USA i kontrakt z Teslą

Samsung wzmacnia swoją pozycję w globalnym wyścigu półprzewodników, dokonując głębokiego resetu strategii produkcyjnej w USA. Firma porzuca plany procesu 4 nm na rzecz bardziej zaawansowanego węzła 2 nm w architekturze GAA — ruch, który może przybliżyć ją do TSMC, obecnego lidera branży. Sercem przedsięwzięcia pozostaje fabryka w Taylor w Teksasie, już wyposażona w litografię EUV niezbędną do projektów o wysokiej gęstości.

Pierwotnie zakład miał wytwarzać układy w 4 nm, jednak kurs został skorygowany. Samsung stawia teraz na masową produkcję chipów 2 nm, mimo wyzwań technicznych. Wolumen rośnie — z początkowych 20 000 do 50 000 wafli miesięcznie — z potencjałem dojścia do 100 000, co pozycjonuje teksańską fabrykę jako jeden z kluczowych ośrodków wytwórczych firmy. To wyraźny sygnał ambicji, by uczynić amerykański zakład jednym z filarów produkcji.

Pierwszym układem w nowym węźle ma być Exynos 2600. Wczesne wyniki uzysków nie były szczególnie wysokie, ale poprawiają się, co zwiększa realność przedsięwzięcia. Równolegle Samsung przyspiesza prace nad kolejną iteracją, SF2P+, która może pojawić się w ciągu najbliższych kilku lat. Ten zwrot można odczytywać jako próbę pominięcia etapu pośredniego i spotkania rywali na samym czele stawki.

Dodatkowego impetu dodaje duża umowa z Teslą warta około 16,5 mld dolarów: Samsung wyprodukuje układy AI6 do systemów autonomicznej jazdy. Są też dodatkowe zamówienia od chińskich firm z segmentu sprzętu kryptowalutowego, choć część z tych kontraktów najpewniej zostanie zrealizowana poza USA.

Wszystko to sugeruje, że Samsung nie zamierza jedynie gonić TSMC, lecz mierzyć się z nim bezpośrednio na polu zaawansowanych procesów technologicznych. Jeśli tempo zostanie utrzymane, amerykański zakład może stać się filarem globalnej strategii firmy i w nadchodzących latach przesunąć układ sił w półprzewodnikach.