Samsung przewiduje wysoki popyt na pamięci półprzewodnikowe do 2027 roku

Danny Weber

12:42 12-02-2026

© RusPhotoBank

Samsung prognozuje, że popyt na pamięci półprzewodnikowe utrzyma się do 2027 roku dzięki sztucznej inteligencji. Firma wprowadza HBM4 i innowacje, jak zHBM i PIM, zwiększając wydajność.

Samsung prognozuje, że popyt na swoje pamięci półprzewodnikowe utrzyma się na wysokim poziomie do 2026 i 2027 roku. Podczas targów Semicon Korea dyrektor techniczny Samsung Device Solutions, Song Jae-hyuk, przedstawił obecne osiągnięcia i plany firmy. To trwałe zainteresowanie napędza boom na sztuczną inteligencję, ponieważ główne platformy chmurowe potrzebują coraz więcej pamięci do zadań obliczeniowych. W efekcie ceny układów rosną.

Firma koncentruje się na masowej produkcji formatu HBM4, czyli pamięci o wysokiej przepustowości. Sprzedaż poprzedniej generacji HBM3E odnotowała znaczący wzrost w 2025 roku, a Samsung planuje wprowadzić HBM4 w tym roku. Wczesni klienci korporacyjni zgłaszają już bardzo zadowalające wyniki wydajności nowej pamięci.

Samsung rozwija również technologię hybrydowego łączenia dla HBM, która obniża opór cieplny w stosach 12H i 16H o 20%. To z kolei zmniejsza temperaturę podstawowego układu o 11%. Kolejną innowacją jest zHBM, gdzie układy są układane w stos wzdłuż osi Z. To czterokrotnie zwiększa przepustowość przy jednoczesnym obniżeniu zużycia energii o 25%.

Ponadto Samsung pracuje nad HBM ze zintegrowanymi możliwościami przetwarzania w pamięci (PIM). Ta technologia może zwiększyć wydajność 2,8 razy bez uszczerbku dla efektywności energetycznej. Wszystkie te wysiłki podkreślają zaangażowanie Samsunga w utrzymanie pozycji lidera na rynku pamięci wysokiej wydajności.