Samsung rusza z High Bandwidth Flash (HBF) dla AI i centrów danych

Danny Weber

13:44 03-10-2025

© A. Krivonosov

Samsung rozpoczyna prace nad High Bandwidth Flash (HBF) – nową klasą pamięci flash dla AI i centrów danych. Przegląd kierunków, atutów i ryzyk SK Hynix i Kioxia.

Południowokoreański serwis fnnews informuje, że Samsung Electronics rozpoczął wczesny etap prac nad High Bandwidth Flash (HBF) — nową klasą szybkiej pamięci flash przeznaczonej dla centrów danych i systemów sztucznej inteligencji. Firma przeszła do fazy projektowania koncepcyjnego i badań wstępnych, a szczegółowe specyfikacje i terminy rynkowego debiutu pozostają na razie otwarte.

W branży krystalizują się dwa podejścia do HBF. Pierwsze to podejście określane jako wersja HBM na bazie NAND, początkowo zaproponowane przez SanDisk i wspierane przez SK Hynix. Drugie pochodzi od Kioxii — wcześniej prezentowane jako urządzenie PCIe o wieloterabajtowej pojemności i wysokiej przepustowości. Taki dwutorowy układ stawia przed Samsungiem strategiczny wybór; na razie nie wiadomo, którą ścieżkę obierze.

W skali współczesnych systemów AI klasyczne dyski SSD oparte na NAND coraz częściej stają się wąskim gardłem — trudno im nadążyć za ogromem danych pod dużym obciążeniem. W odpowiedzi dostawcy eksplorują warstwy pośrednie między NAND a DRAM. Z‑NAND Samsunga może okazać się przydatny na warstwie MLS/SLM, oferując kompromis między szybkością a niezawodnością.

Na tym tle HBF wyrasta na kolejny gorący front rynku pamięci masowej, a czołowi producenci starają się umocnić pozycję, zanim popyt infrastrukturalny osiągnie szczyt. Kierunek wydaje się czytelny: kto pierwszy zbuduje wiarygodny, kompleksowy stos, ten nada ton dojrzewaniu tej kategorii.

Sądząc po dostępnych szczegółach, wejście w obszar pamięci flash o wysokiej przepustowości może dać Samsungowi realną przewagę w infrastrukturze AI. Firma ma już w ręku kluczowe klocki: Z‑NAND, pełny łańcuch wytwarzania i pakowania pamięci oraz mocną pozycję w ekosystemie serwerów AI — atuty, które ułatwiają szybkie dostosowanie i dostawy zintegrowanych produktów dla centrów danych.

Są jednak i wyraźne ryzyka. Flash wciąż ustępuje DRAM‑owi pod względem opóźnień i niezawodności; rynek będzie potrzebował standaryzacji i szerokiego wsparcia ekosystemu; a tacy konkurenci jak SanDisk i SK Hynix rozwijają własne projekty. Ograniczenia termiczne i koszt mogą dodatkowo spowolnić adopcję. Powodzenie Samsunga będzie zależeć od tego, czy zdoła wyprzedzić alternatywne ścieżki — od modułów CXL po nośniki AI‑SSD.