Danny Weber
Samsung testuje pamięci HBM4E. Firma zapowiada trzykrotny wzrost sprzedaży HBM w 2026, rozwój procesu 2 nm i fabryk. Ceny DRAM rosną o 90%
Po publikacji wyników za pierwszy kwartał 2026 roku Samsung Electronics skoncentrował się na segmencie pamięci, ujawniając szczegóły strategii. Najważniejszą zapowiedzią jest rozpoczęcie testów pamięci HBM4E nowej generacji w drugim kwartale – ruch ten powszechnie uznaje się za kluczowy dla rozwoju sztucznej inteligencji i obliczeń wysokiej wydajności.
Na rynku widać tymczasem gwałtowny wzrost cen: średni koszt pamięci DRAM podskoczył o ponad 90% w ujęciu rok do roku, a ceny NAND flash idą niemal identycznym tropem. Taki skok to efekt nasilającej się rywalizacji o moce produkcyjne – czołowi gracze inwestują ogromne środki w infrastrukturę AI i z dużym wyprzedzeniem rezerwują dostawy komponentów.
Samsung przewiduje trzykrotny wzrost sprzedaży pamięci HBM w 2026 roku, a już w trzecim kwartale ponad połowa przychodów tego segmentu ma pochodzić z nowej generacji HBM4. Dla obserwatorów rynku to wyraźny sygnał zwrotu w kierunku rozwiązań przeznaczonych do masowego przetwarzania danych i uczenia maszynowego.
Firma rozbudowuje również zaplecze produkcyjne. W drugiej połowie roku powinien zadebiutować drugiej generacji proces 2-nanometrowy dla urządzeń mobilnych, równolegle trwają prace nad rozwiązaniami 4 nm, w tym dedykowanymi układami AI. W Stanach Zjednoczonych nabiera tempa projekt Taylor – moce fabryki są zwiększane z myślą o masowej produkcji w 2027 roku.
Samsung stawia też na produkty premium i nowe technologie wyświetlaczy, w tym na wielkoskalową produkcję paneli IT OLED ósmej generacji (8.6G). W obliczu drożejących komponentów i ostrzejszej konkurencji strategia firmy opiera się na przewadze technologicznej i skali produkcji, co ma umocnić jej pozycję rynkową.
© A. Krivonosov