Samsung umieszcza HBM nad akceleratorem AI i przekracza 400 warstw NAND

Samsung zaprezentował kilka technologii pamięci i przechowywania danych nowej generacji podczas wydarzenia Future of Memory and Storage w Santa Clara. Większość rozwiązań jest przeznaczona dla centrów danych, akceleratorów sztucznej inteligencji i systemów edge computing.

Jedną z najważniejszych nowości jest koncepcja zHBM. W tej architekturze pamięć HBM znajduje się bezpośrednio nad akceleratorem AI, a nie obok niego. Według Samsunga taki układ może zapewnić nawet ośmiokrotny wzrost wydajności względem tradycyjnych konstrukcji. Do produkcji zHBM firma zamierza wykorzystać technologię łączenia wafli nowej generacji. Ma ona zapewnić ponad dziesięciokrotnie większą gęstość niż HBM5, a jednocześnie trzykrotnie poprawić efektywność energetyczną.

Samsung pokazał również V10 BV-NAND, nowy typ pionowej pamięci flash przeznaczony do dysków SSD, kart pamięci i innych urządzeń magazynujących dane. Architektura Bonding V-NAND pozwala połączyć ponad 400 warstw komórek, zwiększając gęstość o około 58% względem generacji V9. Producent deklaruje także wyższą szybkość odczytu, zapisu oraz operacji wejścia-wyjścia.

Kolejną technologią jest zNAND-O, która łączy efektywne wykorzystanie przestrzeni, niskie opóźnienia i wyższą wydajność operacji wejścia-wyjścia. Rozwiązanie jest skierowane przede wszystkim do brzegowych systemów AI.

Firma zaprezentowała także LPDDR5X-PIM, swoją pierwszą pamięć LPDDR5X ze zintegrowanym przetwarzaniem danych. Część obliczeń może odbywać się bezpośrednio w pamięci, co ogranicza przesyłanie informacji między podzespołami i zwiększa sprawność całego systemu.