Snapdragon 8 Elite Gen 6: 2 nm, LPDDR6, UFS 5.0 i mobilne AI

Pojawiły się nowe szczegóły na temat nadchodzącego flagowego układu Qualcomma, Snapdragon 8 Elite Gen 6. Według doniesień będzie wytwarzany w litografii 2 nm i otrzyma wsparcie dla pamięci LPDDR6 oraz nośników UFS 5.0. Cała platforma zmierza w stronę wyższej wydajności i lepszej efektywności energetycznej — filarów, które dziś w największym stopniu napędzają kolejną falę funkcji zorientowanych na AI. To logiczny kierunek, bo to właśnie te parametry przesądzają o tym, czy nowe możliwości naprawdę będą miały sens w codziennym użyciu.

Dzięki tym usprawnieniom w obszarze pamięci i magazynowania danych Snapdragon 8 Elite Gen 6 ma być lepiej przygotowany do obciążeń związanych ze sztuczną inteligencją. LPDDR6 zapewni jeszcze wyższą przepustowość, a UFS 5.0 ma przynieść szybszy odczyt i zapis, co powinno ułatwić urządzeniom realizację wymagających obliczeń z mniejszym tarciem. Patrząc na całość, widać wyraźny nacisk na płynniejsze przetwarzanie AI bezpośrednio na urządzeniu.

Jak podaje informator Digital Chat Station, Qualcomm planuje produkcję układu w procesie TSMC N2P w 2 nm. Ten węzeł może zwiększyć wydajność o około 18% lub obniżyć zużycie energii o około 36% względem generacji 3 nm. Jednocześnie część ekspertów zakłada, że Qualcomm może nie zdążyć z wdrożeniem nowego procesu przed 2026 rokiem — scenariusz, który wpisywałby się w ostrożne tempo zmian w branży.

Analitycy spodziewają się też, że przejście na bardziej zaawansowany proces i najnowsze standardy pamięci podniesie koszty produkcji. Jeśli tak się stanie, kolejne flagowe smartfony mogą podrożeć — w pierwszej kolejności odczują to modele z najwyższej półki. Nie byłoby w tym nic zaskakującego: postęp technologiczny rzadko bywa tańszy na starcie.

Premiera przewidywana jest na końcówkę 2026 roku, a Snapdragon 8 Elite Gen 6 ma szansę stać się jednym z kluczowych układów ery mobilnego AI.