Seria Galaxy S26 ma dostać RAM LPDDR5X 10,7 Gb/s i min. 12 GB. Czy Exynos 2600 wykorzysta pełną prędkość? Porównanie z Snapdragonem 8 Elite i różnice wersji.
© A. Krivonosov
Insider Ice Universe przekazał fanom Samsunga optymistyczną wiadomość: cała seria Galaxy S26 ma otrzymać najszybszą na rynku pamięć RAM — LPDDR5X o przepustowości 10,7 Gb/s — która jest już produkowana masowo. Minimalna konfiguracja ma zaczynać się od 12 GB, co zapowiada zauważalny skok wydajności względem obecnych modeli Galaxy S25.
Jest jednak haczyk. Bloger technologiczny Abhishek Yadav postawił pytanie, czy autorski Exynos 2600 rzeczywiście poradzi sobie z taką szerokością pasma. Dla porównania, Snapdragon 8 Elite kończy się na 9,67 Gb/s, a pełne wsparcie 10,7 Gb/s ma pojawić się dopiero w następnej generacji, Snapdragon 8 Elite Gen 5.
Jeśli Exynos 2600 faktycznie nie zdoła rozpędzić LPDDR5X do pełnej prędkości, urządzenia z rodziny Galaxy S26 mogą zachowywać się inaczej pod względem pracy pamięci w zależności od rynku. Samsung tradycyjnie stawia na Exynosa w Europie i Korei Południowej, a na Snapdragona w USA i Chinach — co znów wyciąga na wierzch temat parytetu wydajności między wersjami. To kwestia, która lubi wracać przy premierach flagowców marki.
Samsung nie skomentował przecieku. Jeśli informacje się potwierdzą, rodzina Galaxy S26 stałaby się pierwszą linią marki z tą generacją pamięci — zmianą, która obiecuje nie tylko żwawsze działanie interfejsu, ale też dodatkowy zapas mocy, by wykorzystać potencjał nadchodzących układów flagowych.