Samsung Exynos 2700 - kluczowy układ dla Galaxy S27 w 2026
Samsung wprowadza procesor Exynos 2700 w technologii 2nm GAA dla Galaxy S27 w 2026 roku. Zwiększa niezależność od Qualcomma, przynosząc miliardowe zyski.
Samsung wprowadza procesor Exynos 2700 w technologii 2nm GAA dla Galaxy S27 w 2026 roku. Zwiększa niezależność od Qualcomma, przynosząc miliardowe zyski.
© D. Novikov
Samsung szykuje się do wprowadzenia nowego układu scalonego Exynos 2700, który według źródeł branżowych zadebiutuje w czwartym kwartale 2026 roku. Procesor powstaje w oparciu o technologię 2-nanometrową drugiej generacji GAA, oznaczaną jako SF2P. Układ ma stać się kluczowym komponentem w linii Galaxy S27, co pomoże firmie umocnić pozycję na rynku mobilnych układów SoC.
Choć Exynos 2700 będzie dostępny wyłącznie w serii Galaxy S27, jego znaczenie wykroczy poza ten jeden produkt. Samsung LSI, oddział odpowiedzialny za rozwój układów scalonych, czujników i modemów, dostarczy procesor do jednostki Mobile Experience. Ten krok ma zwiększyć wewnętrzne przychody i napędzić wzrost w segmencie biznesu niemieszącego. Szacunki wskazują, że Exynos 2700 może odpowiadać za nawet 50% wszystkich dostaw układów do serii Galaxy S27, zmniejszając zależność Samsunga od rozwiązań Qualcomma.
Jak podaje DigiTimes, masowa produkcja Exynosa 2700 ma ruszyć pod koniec 2026 roku. Wprowadzenie układu może przynieść około 163 miliardów wonów zysku operacyjnego, co odpowiada mniej więcej 113 milionom dolarów dla tego segmentu biznesu. Podstawowy projekt procesu SF2P został zatwierdzony w ubiegłym roku, a Samsung aktywnie promuje nową technologię jako istotny postęp w architekturze 2-nanometrowej.
Pozostają jednak pytania dotyczące wydajności produkcji. Raporty wskazują, że obecny wskaźnik wydajności dla pierwszej generacji procesu 2-nanometrowego GAA wynosi około 50%, co wydaje się skromne w momencie przejścia na kolejną wersję. Mimo to Samsung planuje już wprowadzenie SF2P+ – trzeciej generacji 2-nanometrowego GAA – w nadchodzących latach, prezentując ambitną mapę drogową rozwoju technologii półprzewodnikowych.