Druga fabryka chipów Samsunga w Taylor: budowa i plany ekspansji
Samsung przygotowuje się do budowy drugiej fabryki chipów w Taylor w Teksasie, inwestując miliardy dolarów i umacniając pozycję na rynku półprzewodników.
Samsung przygotowuje się do budowy drugiej fabryki chipów w Taylor w Teksasie, inwestując miliardy dolarów i umacniając pozycję na rynku półprzewodników.
© A. Krivonosov
Samsung Electronics przygotowuje się do budowy drugiej fabryki chipów w parku półprzewodnikowym w Taylor w Teksasie. Nowy kompleks będzie porównywalny rozmiarami do pierwszej placówki firmy w tym regionie, a prace budowlane rozpoczną się po uzyskaniu wszystkich niezbędnych pozwoleń. Projekt ten podkreśla determinację Samsunga, by umocnić swoją pozycję na rynku półprzewodników i utrzymać konkurencję z innymi amerykańskimi gigantami technologicznymi.
Rada Miasta Taylor zatwierdziła przedłużenie umowy z HDR Engineering, co pozwoli władzom nadzorować proces budowy drugiej fabryki. Choć projekt wciąż znajduje się we wczesnej fazie dokumentacji regulacyjnej, widać wyraźnie, że Samsung dąży do stworzenia kompleksowego klastra przemysłowego do produkcji półprzewodników.
Nowa fabryka zajmie około 251 000 metrów kwadratowych, czyli tyle samo, co pierwszy obiekt. Samsung posiada w Taylor 1 268 akrów ziemi, co teoretycznie pozwoliłoby na pomieszczenie nawet 10 fabryk płytek krzemowych w ramach jednego klastra przemysłowego.
Początkowe inwestycje na pierwszy etap budowy wyniosły 17 miliardów dolarów, a później wzrosły do 37 miliardów dolarów, uwzględniając 4,75 miliarda dolarów dotacji rządowych. Kampus przyciągnął już zamówienia od 121 klientów, w tym potencjalnych dużych partnerów, takich jak Google, AMD i ByteDance.
Budowa drugiej fabryki to kolejny krok w ekspansji Samsunga w Stanach Zjednoczonych, który utrwala pozycję firmy jako światowego lidera w produkcji chipów. W praktyce oznacza to, że po uzyskaniu pozwoleń i zakończeniu przygotowań firma będzie kontynuować skalowanie swoich operacji w Taylor i budowę kolejnych obiektów w przyszłości.