Samsung zwiększył wydajność produkcji 2 nm do 60%, co stanowi postęp od 50% w styczniu. Kluczowe zamówienia od firm jak Tesla napędzają optymalizację.
© D. Novikov
Samsung konsekwentnie rozwija zaawansowany proces produkcyjny 2 nanometrów, oparty na architekturze tranzystorów Gate-All-Around (GAA). Według najnowszych doniesień, ogólna wydajność tego procesu osiągnęła około 60%, co oznacza zauważalny postęp w porównaniu do 50% odnotowanych w styczniu. Ten wzrost robi jeszcze większe wrażenie, gdy zestawimy go z drugą połową 2025 roku, kiedy wydajność oscylowała wokół zaledwie 20% – to ponad trzykrotna poprawa.
Jednak sytuacja nadal stanowi wyzwanie dla wewnętrznego układu Exynos 2600 firmy Samsung. Jego wydajność nie przekroczyła jeszcze 50%, choć nawet ta wartość oznacza znaczący krok naprzód od wczesnych etapów produkcji. Warto zaznaczyć, że Samsung zazwyczaj nie ujawnia dokładnych danych o wydajności swoich węzłów produkcyjnych, więc te szacunki pochodzą od źródeł branżowych.
Kluczowym czynnikiem stojącym za tą poprawą wydajności są nowe zamówienia klientów, w tym od głównych producentów sprzętu do kopania Bitcoinów, takich jak Canaan i MicroBT. Rosnące zapotrzebowanie ze strony tych firm dało Samsungowi dodatkową motywację do przyspieszenia optymalizacji produkcji i zwiększenia efektywności linii 2 nm.
Choć Samsung wciąż pozostaje w tyle za TSMC w wyścigu o zaawansowane technologie półprzewodnikowe, firma stopniowo zmniejsza tę różnicę, pozyskując więcej zamówień. Jednym z jej najważniejszych ostatnich osiągnięć było zdobycie kontraktu o wartości 16,5 miliarda dolarów z Teslą na produkcję układów AI6 do systemów autonomicznej jazdy. W tym kontekście Samsung postawił sobie ambitny cel: zwiększyć zamówienia na proces 2 nm o 130% w 2026 roku, co mogłoby znacząco wzmocnić jego pozycję rynkową.