Galaxy S27 Ultra z pamięcią LPDDR6 i Snapdragon 8 Elite

Samsung szykuje się do dużego skoku technologicznego w przypadku swojego przyszłego flagowca – Galaxy S27 Ultra. Według najnowszych przecieków, urządzenie może być jednym z pierwszych smartfonów wyposażonych w pamięć RAM nowej generacji LPDDR6, co ma przynieść wyraźny wzrost wydajności.

Nowy typ pamięci ma oferować większą przepustowość i lepszą energooszczędność w porównaniu z obecnym standardem LPDDR5X. W praktyce oznacza to płynniejszą pracę wielozadaniową, szybsze ładowanie aplikacji oraz lepszą wydajność w wymagających zadaniach, takich jak mobilne gry czy funkcje oparte na sztucznej inteligencji.

Smartfon ma być napędzany przez układ Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro – mocniejszą wersję nowego flagowego procesora Qualcomma. Może on zawierać ulepszony akcelerator graficzny Adreno 850 z 18 MB pamięci GMEM, podczas gdy standardowa wersja chipsetu ma rzekomo wykorzystywać Adreno 845 z 12 MB. Obie wersje są podobno produkowane w procesie 2 nm TSMC i korzystają z konfiguracji rdzeni 2+3+3.

Mimo trwających prac nad własnymi układami Exynos 2700 i 2800, Samsung prawdopodobnie nadal będzie polegał na rozwiązaniach Qualcomma w modelu Ultra w większości regionów. Wprowadzenie tych nowych technologii może jednak wpłynąć na cenę urządzenia, ponieważ rosnące koszty pamięci i komponentów już teraz wywierają presję na rynek.

Jeśli te informacje się potwierdzą, Galaxy S27 Ultra mógłby być jednym z pierwszych smartfonów, które w pełni przejdą na nową generację mobilnego sprzętu, potencjalnie wyznaczając kierunek dla całej branży w nadchodzących latach.