Samsung Electronics rzekomo opracował prototyp 900-warstwowej pamięci V-NAND, czyli nowej generacji pionowej pamięci flash, jak podają źródła branżowe i insider Ice Universe. Gdyby zostało to oficjalnie potwierdzone, byłby to znaczący krok w kierunku bariery 1000 warstw, od dawna uznawanej za kluczowy cel w branży pamięci NAND.
Jak się dowiadujemy, prototyp nie powstał przez proste układanie warstw na pojedynczej matrycy, ale przez połączenie dwóch bloków po 450 warstw każdy za pomocą technologii CMB (Cell-on-Cell, czyli łączenia warstw). Taki sposób zwiększa liczbę warstw i gęstość zapisu, pozwalając ominąć część trudności technologicznych związanych ze skalowaniem pionowym.
Dla Samsunga demonstracja tego prototypu ma szczególne znaczenie w kontekście rosnącego popytu na pamięć w serwerach, infrastrukturze AI, komputerach PC i urządzeniach mobilnych. Firma już produkuje 9. generację V-NAND – w 2024 roku rozpoczęła masową produkcję 1-terabitowych kości TLC V-NAND, a później także QLC V-NAND 9. generacji przeznaczonych do zastosowań z sztuczną inteligencją.
To jednak nie oznacza, że dyski SSD dla zwykłych użytkowników z taką pamięcią pojawią się szybko. Między prototypem a masową produkcją pozostają wyzwania związane z wydajnością procesu produkcyjnego, kosztami, niezawodnością, poborem energii i kompatybilnością z przyszłymi kontrolerami. Niemniej skuteczne przetestowanie tej struktury dowodzi, że Samsung konsekwentnie zmierza do zwiększania pojemności bez proporcjonalnego powiększania fizycznego rozmiaru kości.
Jeśli ta technologia wejdzie do masowej produkcji, może posłużyć jako podstawa dla znacznie pojemniejszych dysków SSD – zarówno konsumenckich, jak i korporacyjnych dla centrów danych. W konkurencji z SK hynix, Micronem, YMTC i innymi graczami, Samsung musi nie tylko utrzymać pozycję lidera w pamięciach NAND, ale też pokazać, że potrafi jako pierwszy zbliżyć się do następnej generacji ultra-gęstej pamięci flash.