Dyrektor generalny SK hynix, Kwak Noh-Jung, ostrzegł, że w 2027 roku światowy rynek pamięci może zmierzyć się z najpoważniejszym niedoborem w swojej historii. Według niego popyt na DRAM, w tym wydajną pamięć HBM dla infrastruktury AI, oraz na NAND przekroczy dostępne moce produkcyjne nie tylko w przyszłym roku, lecz także później — co najmniej do początku następnej dekady.
Głównym źródłem presji jest gwałtowny wzrost zapotrzebowania ze strony centrów danych. Najwięksi klienci podpisują wieloletnie umowy dostaw, a producenci coraz częściej stawiają na droższe i bardziej rentowne produkty: HBM dla akceleratorów AI, LPDDR5X dla urządzeń flagowych oraz rozwiązania serwerowe. W efekcie standardowe DDR5, DDR4 i tańsza mobilna pamięć LPDDR otrzymują mniej mocy produkcyjnych.
Samsung i Micron przedstawiły podobne oceny. Samsung ostrzegał, że w 2027 roku sytuacja może stać się jeszcze trudniejsza, ponieważ producenci nie są w stanie wystarczająco szybko zwiększać podaży. Micron również uważa, że niedobór jest dopiero na wczesnym etapie, a firma może zaspokoić około 50–66% zapotrzebowania swoich klientów na pamięć.
Dla SK hynix, Samsunga i Microna sytuacja jest korzystna finansowo, ale dla reszty rynku staje się coraz bardziej bolesna. Wysoki popyt na pamięć premium zwiększa zyski producentów, podczas gdy segment konsumencki mierzy się z gwałtownymi podwyżkami cen. Wyższe koszty wpływają już na komputery PC, smartfony, konsole i inne urządzenia, w których pamięć stanowi znaczącą część kosztu podzespołów.
W obliczu niedoboru chińscy producenci pamięci szybciej zwiększają moce, w tym CXMT w segmencie DRAM i YMTC w segmencie NAND, przede wszystkim z myślą o rynku krajowym. SK hynix również planuje wieloletnią rozbudowę produkcji i inwestuje w nowe zakłady w Korei Południowej oraz USA. Nawet duże inwestycje nie zlikwidują jednak szybko nierównowagi między popytem a podażą.