Samsung Galaxy S26 trece la LPDDR5X 10,7 Gbps: dilema Exynos 2600 vs Snapdragon 8 Elite

Insiderul Ice Universe a împărtășit vești încurajatoare pentru fanii Samsung: susține că întreaga serie Galaxy S26 va fi echipată cu cea mai rapidă memorie RAM de pe piață — LPDDR5X evaluată la 10,7 Gbps — iar această memorie se află deja în producție de masă. Configurația minimă ar fi de 12 GB, un pas care anunță un salt de performanță vizibil față de actualele modele Galaxy S25.

Există însă o nuanță. Bloggerul tech Abhishek Yadav a ridicat întrebarea dacă Exynos 2600 dezvoltat intern poate gestiona cu adevărat un asemenea debit. Până la urmă, Snapdragon 8 Elite atinge cel mult 9,67 Gbps, iar suportul complet pentru 10,7 Gbps apare abia la următoarea generație, Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Dacă Exynos 2600 nu poate într-adevăr să ruleze LPDDR5X la viteză maximă, dispozitivele Galaxy S26 ar putea afișa un comportament diferit al memoriei în funcție de piață. Samsung livrează de obicei Exynos în Europa și Coreea de Sud și Snapdragon în SUA și China, ceea ce readuce în prim-plan eterna discuție despre paritatea de performanță între versiuni — un punct sensibil pentru mulți cumpărători.

Samsung nu a comentat informațiile apărute. Dacă detaliile se confirmă, familia Galaxy S26 ar deveni prima gamă a brandului cu această memorie de nouă generație — o schimbare ce promite nu doar o interfață mai sprintenă, ci și suficientă marjă pentru a valorifica potențialul viitoarelor procesoare de vârf. De urmărit dacă promisiunea se va traduce uniform în experiența de zi cu zi pe toate piețele.