Samsung trece la 2 nm GAA în Taylor, Texas: Exynos 2600, contract Tesla și duelul cu TSMC

Samsung își consolidează poziția în cursa globală a cipurilor printr-un reset amplu al strategiei sale de producție din SUA. Compania renunță la planurile pentru procesul de 4 nm și mizează pe un nod GAA de 2 nm, mai avansat — o mișcare curajoasă care o poate apropia de TSMC, liderul actual al industriei. În centrul planului se află fabrica din Taylor, Texas, deja echipată cu instrumente de litografie EUV, necesare pentru designuri cu densitate ridicată.

Inițial, unitatea era destinată producției pe 4 nm, însă direcția s-a schimbat. Samsung dă prioritate acum producției în masă de cipuri de 2 nm, în pofida obstacolelor tehnice. Volumul este în creștere — de la 20.000 la 50.000 de waferi pe lună — cu potențial de a ajunge la 100.000, ceea ce ar transforma fabrica din Texas într-unul dintre pilonii industriali ai companiei.

Primul cip pe noul nod ar urma să fie Exynos 2600. Ratele de randament inițiale nu au fost deosebit de ridicate, dar au început să crească, făcând proiectul tot mai fezabil. În paralel, Samsung accelerează lucrul la următoarea iterație, SF2P+, care ar putea apărea în următorii câțiva ani. Schimbarea de direcție pare o tentativă de a sări peste o etapă intermediară și de a întâlni rivalii chiar la vârful tehnologiei.

Între timp, impulsul este alimentat de un acord major cu Tesla, în valoare de aproximativ 16,5 miliarde de dolari: Samsung va produce cipuri AI6 pentru sisteme de conducere autonomă. Există și comenzi suplimentare din partea unor companii chineze din zona de hardware pentru cripto, deși o parte dintre aceste contracte vor fi probabil onorate în afara SUA.

Privite împreună, aceste decizii arată că Samsung nu vizează doar să o ajungă din urmă pe TSMC, ci să intre în competiție directă pe tehnologiile de proces avansate. Dacă ritmul se menține, unitatea americană ar putea deveni o piesă de rezistență a strategiei globale și ar putea înclina, treptat, balanța de putere în semiconductoare în următorii ani.