High Bandwidth Flash (HBF): planul Samsung pentru memorie rapidă în centrele de date și AI

Publicația sud-coreeană fnnews scrie că Samsung Electronics a început dezvoltarea timpurie a High Bandwidth Flash (HBF) — o nouă clasă de memorie flash de mare viteză concepută pentru centre de date și sisteme de inteligență artificială. Compania a trecut la proiectarea conceptuală și cercetarea preliminară, iar specificațiile și calendarele de lansare nu sunt încă bătute în cuie.

În industrie se conturează două direcții pentru HBF. Una este prezentată drept o versiune NAND a HBM, propusă inițial de SanDisk și susținută de SK Hynix. Cealaltă vine de la Kioxia și a fost arătată anterior sub forma unui dispozitiv PCIe, cu capacități de ordinul mai multor terabytes și un debit foarte ridicat. Acest peisaj cu două piste obligă Samsung să aleagă strategic, iar deocamdată nu e clar pe care drum va merge.

Pe măsură ce proiectele de inteligență artificială cresc în dimensiune, SSD-urile bazate pe NAND devin tot mai des un blocaj: cu greu țin pasul cu volumele uriașe de date în sarcini grele. Drept consecință, furnizorii explorează straturi intermediare între NAND și DRAM. Z‑NAND de la Samsung ar putea fi util la nivelul MLS/SLM, găsind un echilibru între viteză și fiabilitate.

În acest context, HBF se anunță următoarea zonă fierbinte a pieței de stocare, iar marii producători de memorii încearcă să-și securizeze pozițiile înainte ca cererea de infrastructură să atingă vârful. Tendința este clară: cine reușește primul să construiască un ecosistem cap‑la‑cap credibil va influența modul în care se maturizează această categorie.

Din detaliile disponibile reiese că intrarea pe segmentul flash cu lățime mare de bandă i-ar putea oferi Samsung un avantaj real în infrastructura AI. Compania deține deja piese esențiale precum Z‑NAND, un lanț complet de fabricație și ambalare a memoriei, plus o prezență solidă în ecosistemele de servere AI — atuuri care facilitează adaptarea rapidă și livrarea unor produse integrate pentru centrele de date.

Totuși, riscurile sunt evidente. Flash-ul rămâne în urma DRAM în privința latenței și fiabilității; piața va avea nevoie de standardizare și susținere largă din partea ecosistemului; iar competitori precum SanDisk și SK Hynix își împing înainte propriile concepte. Constrângerile termice și costurile pot frâna adopția. Reușita Samsung va depinde de cât de repede poate depăși rutele alternative, de la module CXL la AI‑SSD‑uri.