Samsung: teste HBM4E și prețurile DRAM în creștere cu 90%

După raportarea financiară pentru T1 2026, Samsung Electronics se concentrează pe divizia de memorii, dezvăluind detalii strategice proaspete. Cel mai important, compania plănuiește să demareze testarea memoriei HBM4E de generație următoare în trimestrul al doilea, un pas considerat esențial pentru avansarea inteligenței artificiale și a calculului de înaltă performanță.

În paralel, piața consemnează o creștere dramatică a prețurilor: costurile medii ale DRAM au urcat cu peste 90% față de anul anterior, iar prețurile NAND flash au urmat o curbă aproape identică. Acest salt reflectă competiția intensă pentru capacitatea de fabricație, pe măsură ce giganții industriei investesc masiv în infrastructura AI și își asigură din timp aprovizionarea cu componente.

Samsung estimează o triplare a vânzărilor de memorie HBM în 2026, iar până în al treilea trimestru, peste jumătate din veniturile acestui segment vor proveni din noua generație HBM4. Pentru cei care urmăresc trendurile, aceasta marchează o orientare clară către soluții dedicate procesării masive de date și învățării automate.

Compania își extinde totodată amprenta de producție. În a doua parte a anului, este așteptată introducerea unui proces de 2 nanometri de a doua generație pentru dispozitive mobile, alături de continuarea dezvoltării soluțiilor pe 4 nm, inclusiv cipuri AI dedicate. În Statele Unite, proiectul Taylor prinde avânt, capacitatea fabricii fiind accelerată pentru a intra în producția de masă în 2027.

În plus, Samsung avansează pe segmentul produselor premium și al noilor tehnologii de display, incluzând aici producția de volum a panourilor OLED IT de generația 8.6. Pe un fond al prețurilor în creștere și al concurenței tot mai dure, strategia mizează pe leadership tehnologic și scară de producție pentru a-și întări poziția pe piață.