SMIC pornește producția de volum la 5 nm fără EUV, pe nodul N+3. Kirin 9030 confirmă progresul, iar litografia DUV și multipatterning complică randamentul.
© D. Novikov
Producătorul chinez de semiconductoare SMIC a făcut un pas clar înainte în consolidarea propriei baze tehnologice: a pornit producția de volum pentru cipuri din clasa de 5 nm fără litografie EUV. Noul nod N+3 al SMIC este, în prezent, cel mai avansat proces de fabricație din China. TechInsights a indicat că Huawei Kirin 9030 este realizat pe acest nod, un reper notabil pe drumul țării către o autonomie tehnologică sporită.
N+3 sare practic peste o generație față de N+2, un proces de 7 nm folosit anterior de Huawei pentru acceleratoarele Ascend destinate AI și alte produse de infrastructură. Cu N+3, compania obține o densitate mai mare de tranzistori, deși nu are acces la scanere EUV de ultimă generație, restricționate prin controale la export. Doar acest rezultat sugerează o doză serioasă de ingeniozitate de proces în condiții strânse.
Evitarea EUV are însă prețul ei. În loc de ultraviolet extrem, SMIC se bazează pe litografie DUV la 193 nm și pe scheme complexe de multipatterning. TechInsights observă că o asemenea scalare agresivă a metalizării aduce provocări majore de randament. Drept urmare, producția Kirin 9030 este probabil operată în pierdere, cu o parte substanțială a matrițelor fie casată, fie livrată în variante restrânse.
Pentru a atinge dimensiunile cerute, SMIC ar folosi tehnici precum self-aligned quadruple patterning — cunoscute în industrie, dar notoriu de dificile și costisitoare la scară. Realizarea inginerească impresionează, totuși analiștii arată că dificultățile de randament nu au dispărut, iar statistici detaliate despre stabilitatea procesului nu au fost făcute publice.