Progrese în fabricația de 2 nm Samsung și contracte noi

Samsung continuă să înregistreze progrese semnificative în dezvoltarea procesului de fabricație de 2 nanometri, care utilizează arhitectura Gate-All-Around (GAA) pentru tranzistoare. Conform rapoartelor recente, rata de randament globală a acestui proces a ajuns acum la aproximativ 60%, marcând o îmbunătățire notabilă față de 50% raportate în ianuarie. Această evoluție este și mai impresionantă dacă o comparăm cu a doua jumătate a anului 2025, când randamentele se situau în jur de doar 20% – ceea ce reprezintă o creștere de peste trei ori.

În schimb, situația rămâne dificilă pentru cipul Exynos 2600, dezvoltat intern de Samsung. Rata sa de randament încă nu a depășit 50%, deși și această cifră reprezintă un pas substanțial înainte față de primele etape de producție. Este important de menționat că Samsung nu dezvăluie de obicei date precise despre randamentul nodurilor sale de fabricație, așa că aceste estimări provin din surse din industrie.

Un factor-cheie din spatele acestor randamente îmbunătățite au fost noile comenzi de la clienți, inclusiv de la producători importanți de hardware pentru minarea Bitcoin, precum Canaan și MicroBT. Cererea tot mai mare de la aceste companii a oferit lui Samsung un motiv suplimentar să accelereze optimizarea producției și să îmbunătățească eficiența liniei de 2 nm.

Deși Samsung încă rămâne în urma TSMC în cursa pentru fabricația avansată de semiconductori, compania reduce treptat decalajul prin obținerea de noi comenzi. Una dintre cele mai semnificative realizări recente a fost obținerea unui contract de 16,5 miliarde de dolari cu Tesla pentru producția cipurilor AI6 destinate sistemelor de conducere autonomă. În acest context, Samsung și-a stabilit un obiectiv ambițios: să crească comenzile pentru procesul său de 2 nm cu 130% în 2026, o mișcare care ar putea consolida substanțial poziția sa pe piață.