Samsung dezvoltă proces de 1 nanometru cu tehnologia furcii pentru eficiență

Samsung își propune să lanseze un proces de 1 nanometru până în 2031, tehnologie considerată "semiconductorul visurilor". Cercetările și dezvoltarea sunt în plină desfășurare și ar trebui finalizate până în 2030. Această nouă tehnologie va permite integrarea unui număr mai mare de tranzistoare în aceeași suprafață prin metoda "furcii", care adaugă o barieră neconductoare între elementele GAA.

Procesele actuale de 2 nm de la Samsung utilizează tehnologia Gate-All-Around (GAA), care îmbunătățește eficiența energetică prin extinderea canalelor de la trei la patru benzi. La nodul de 1 nm, utilizarea GAA fără modificări ar fi mai puțin eficientă, așa că compania implementează o schemă de ramificare cu "furca" pentru a maximiza densitatea tranzistoarelor. În esență, este similar cu densificarea arhitecturală în construcții: spațiul liber este redus, iar noi structuri îl ocupă pentru a găzdui mai multe componente.

Anterior, Samsung planificase un proces de 1,4 nm, dar lansarea acestuia a fost amânată până în 2028, probabil pentru a se concentra pe avansarea tehnologiilor de 2 nm. Tehnologia "furcii" ar putea rezolva provocările anterioare de producție, dar eficiența și scalabilitatea finală a procesului de 1 nm vor deveni clare doar odată cu începerea producției în masă.

Pe lângă acestea, Samsung continuă să abordeze problemele de eficiență energetică în SoC-urile sale, cum ar fi Exynos 2600. De exemplu, acest cip consumă până la 30 W în timpul testelor Geekbench 6, ceea ce reduce durata de viață a bateriei dispozitivului în comparație cu concurenții care folosesc Snapdragon. Trecerea la procese îmbunătățite de 2 nm și lansarea ulterioară a tehnologiei de 1 nm ar trebui să ajute la rezolvarea acestor deficiențe și să pregătească terenul pentru viitoarele procesoare mobile.